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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      300

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      360

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      11

      驱（qū）动电压(V)：

      10

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      650V，360mΩ，11A，N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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